贝思科尔 - “Mosfet器件结壳热阻测试”视频案例


来源:贝思科尔          2021/1/19 15:10:12


“Mosfet器件结壳热阻测试”视频案例

热阻是衡量功率Mosfet器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要的现实意义,对于功率Mosfet器件来说,较小的器件热阻变得越来越关键,并且对半导体制造商来说小的热阻意味着强的市场竞争力。

      


基于结构函数理论,同一个功率Mosfet器件在不同条件下进行二次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻值。这也是JESD51-14热阻瞬态双界面测试法的核心所在,这种测试方法具有更高的准确性和重现性。而T3ster是目前全球唯一满足此测试标准的仪器。使用T3ster对功率Mosfet器件进行测试,可以记录器件结温瞬态变化过程,能得到器件结壳热阻值,还可以通过结构函数分析器件热传导路径上各层结构的热阻值。



本视频重点介绍MicRED T3Ster量测功率Mosfet器件热特性测试方法、实际操作、数据后处理等,并通过对相关测试过程细节方面详细描述,最终让大家系统了解T3ster量测Mosfet的结壳热阻值以及结构函数分层的整个过程。


image.png

“Mosfet器件结壳热阻测试案例”视频


贝思科尔实验室介绍

image.png

贝思科尔公司与北京大学深圳SOC重点实验室联合建设的半导体热可靠性联合实验室成立于2019年10月,实验室位于深圳市南山区。


实验室配置:T3Ster热阻测试仪、DynTIM界面材料导热系数测试仪、Julabo温控循环仪等硬件设备,以及Flotherm、FloEFD、Flomaster、HyperLynx、Star CCM+等仿真软件。


实验室宗旨:为芯片半导体、LED、OLED、MOSFET、IGBT、IPM等领域广大客户提供测试、建模(模型校准)与仿真咨询服务。


面向行业:新能源/汽车/轨道交通、家电/通信;半导体IC、功率器件、IGBT、IPM、光电集成、OLED等。


我们的服务:

1 软硬件产品销售及技术支持服务;

2 热流仿真分析及设计顾问服务;

3 半导体热阻,器件功率循环测试服务。


image.png



更多业务咨询,请联系

George-wechat.jpg

电话:13500040761

邮箱:george_qiu@basicae.com

 

   链接地址:https://mp.weixin.qq.com/s/98BXvLW3mH7WxpkrLo3TVQ