SimDE MODEL

SimDETM MODEL提供了自动化IBIS缓冲模型提取、生成和验证过程,并包含一个图形界面,用于映射SPICE缓冲节点以及将图示编辑模式用于其它节点设置。它能自动运行Synopsys HSpice,从HSpice缓冲中提取缓冲行为,此过程中无需手动编辑。

SimDETM MODEL提供了一个用于IBIS缓冲模型生成的无缝验证过程。它能在生成IBIS缓冲的过程中记忆Spice模型的所有设置,并将其用于您自己的拓扑结构中的IBIS模型验证。它还提供了一个详细的DPI(差分峰值指数)DAI(差分平均指数),并报告Spice与IBIS缓冲模拟之间的任何差异。波形清楚地描绘了结果的质量。

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SimDETM MODEL特征如下:

- 自动Spice缓冲节点映射功能

- 图形节点设置功能

- 自动SpiceIBIS缓冲提取过程

- 驱动和接收模式下的自动模型电容提取选项

- 通过手动共模电压设置选项完成所有IBIS输入/输出/IO模型类型和差动缓冲(伪缓冲、半缓冲和标准差分对缓冲)提取

- 简易的典型/最小/最大角点提取设置

- 支持IBIS 5.0 PDN[复合电流][ISSO_*]提取

- 支持HSpiceSpectreEldoMSIM TISpice3集成

- 使用IBISIBIS差分模型的已有数据完成提取

- 内置IBIS标准缓冲测试装置

- IBIS缓冲模型验证表支持自由设置拓扑结构

- 详细验证报告包含差分峰值指标(DPI)和差分平均指数(DAI

- IBIS缓冲曲线目视检查和报告,验证片内终接器、非单调和负荷线交叉验证(SimDE™ MODEL IBIS应用模块)

- IBIS文件生成向导带[模型选择器]生成器

- 仅提取模拟能力适用于GUI和批处理模式操作中的模拟器队列脚本应用程序

- 支持标准差动电流模式下的IBIS缓冲提取

- 对一个项目中的多个IBIS缓冲生成进行批处理模式操作

- IBIS V-T/I-T曲线初始延迟调整功能

- IBIS V-T/I-T曲线总长度控制

- IBIS V-T/I-T最大点数目控制

- IBIS V-T/I-T曲线提取提供激励升降边缘控制

- 差分对缓冲具有自动设置V-T测试装置

- 使用选项设置文件创建批处理模式模型

- 支持IBIS系列_转换模型提取和验证

- 支持S2I项目模型导入

- C_Comp重新排序功能

- 大范围I-V/V-T不匹配停止/继续警告